Finden Sie schnell toner für hp laserjet für Ihr Unternehmen: 7 Ergebnisse

Die Bildung von ohmschen Kontakten auf der Rückseite von SiC-Leistungsbauelementen spielt eine Schlüsselrolle bei der Bestimmung der elektrischen Eigenschaften und der mechanischen Festigkeit. Weitere Informationen unter https://lasermikrobearbeitung.de/ Ihre Vorteile mit unserer OCF-Technologie: • Homogene Prozessergebnisse durch Spot-Scanning • Flexible Programmierung und großer Parameterbereich für Testmuster • Bildet ohmsche Ni-Silizid-Grenzflächen • Machbarkeitsstudien und Rezepturentwicklung mit Ihren Mustern in unserem Labor • Hohe Flexibilität - perfekt geeignet für F&E-Ansätze • Prototyping und Co-Entwicklung möglich - Rezepturentwicklung für Ihre Metall-Stacks • 200 mm Waferbearbeitung - besonders geeignet für dünne Wafer Zusätzliche technische Informationen: • Laser-Sensor-Paket • Logfile-Funktion / Zugriffsrechteverwaltung • Standard-Waferdicke: 100 - 500 μm • Eignung für Wafer auf Glasträger Bearbeitbare Materialien sind: • Silizium (Si) • Siliziumkarbid (SiC) Einsatzgebiet: • Halbleiterindustrie • Power Devices Der Markt für Leistungsbauelemente aus Siliziumkarbid (SiC) verzeichnet ein zweistelliges Wachstum, was auf die Vorteile von SiC bei der Steigerung der Leistungseffizienz und der Minimierung von Energieverlusten in Anwendungen wie Elektrofahrzeugen und Hybridfahrzeugen, Stromversorgungen und Solarwechselrichtern zurückzuführen ist. Die Bildung von ohmschen Kontakten auf der Rückseite von SiC-Leistungsbauelementen spielt eine Schlüsselrolle bei der Bestimmung der elektrischen Eigenschaften und der mechanischen Festigkeit des Bauelements. Traditionell wurden für die OCF auf der Rückseite von SiC-Wafern thermische Annealingprozesse mit Blitzlampen mit Millisekunden-Pulsen verwendet. Da für diesen Prozess Temperaturen von über 1000 °C erforderlich sind, die sich nachteilig auf die Strukturen auf der Vorderseite der Wafer auswirken können, sind Blitzlampen auf Waferdicken von 350 Mikrometern und mehr beschränkt. Da die Industrie nun zu dünneren SiC-Leistungsbauelementen übergeht, um die elektrische Leistung und das Wärmemanagement zu verbessern, werden neue Annealingverfahren benötigt, die diese thermischen Auswirkungen minimieren. Das Laserannealing mit UV-Nanosekundenpulsen bietet die hohe Präzision und Wiederholbarkeit, die für OCF auf der Rückseite von SiC-Wafern erforderlich ist, und stellt gleichzeitig sicher, dass die Wafervorderseite nicht thermisch beschädigt wird, was die Leistung der Bauelemente beeinträchtigen kann.

Die Schutzgaskammer SGC500 ist ein seperates Maschinenbauteil für Laserdrahtauftragschweißen Mit der tragbaren Schutzgaskammer SGC500 bietet coaxworks ein seperates Maschinenbauteil für CNC- und Roboter-basierte Laser-Draht-Schweißprozesse. Mittels einer flexiblen Folienhaube und einem Zusatzadapter am Laserschweißkopf lässt sich eine hochreine Schutzgasatmosphäre einrichten. Bodenseitige Anschlüsse für eine Durchlaufflutung mit inertem Argon-Gas ermöglichen einen stabilen Sauerstoffgehalt von unter 20 ppm bereits nach 20 Minuten. Die geeignete bearbeitbare Bauteilgröße liegt bei circa 150x150x150 mm³. Die Schutzgaskammer SGC500 besitzt folgende integrierte technische Besonderheiten: > eine Handhabungsklappe an der Frontseite zur schnellen Kammerbestückung bei installierter Folienhaube, > zwei frontseitige Handschuheingriffe für die Bauteilhandhabung im gefluteten Zustand, > eine herausnehmbare T-Nutenplatte zur definierten Aufspannung von Bauteilen, > drei Sichtfenster für die Prozessbeobachtung von außen und > ein oberseitiges Schnellspannsystem zur definierten Befestigung der Folienhaube.

Adapterplatte zum Löffelumbau 1 Stck

Die kraftvolle Einheit für Bohrungen bis Ø 352 mm mit leistungsstarkem Antrieb und optimalem Bohrständer Anwendung: Nassbohren in armierten Beton, Naturstein und Asphalt Bohreinheit für ein breites Anwendungsspektrum im Hoch- und Tiefbau sowie bei Installations- und Bohrbetrieben Merkmale: – Elektronik – Sanftanlauf, Temperatur- und Überlastabschaltung, Überlastanzeige, Drehzahlkonstanthaltung – Werkzeuganschluss 1¼" außen – für handelsübliche Bohrkronen Ø 45 - 352 mm – Serviceanzeige– rechtzeitiger Hinweis zum Wechsel der Kohlebürsten – 3-Gang Ölbadgetriebe mit Ölpumpe – optimale Schmierung in allen Arbeitspositionen – Mechanische Sicherheitskupplung – Schutz im Blockierfall – PUR-Baustellenkabel für starke Beanspruchung – Universalkupplung - werkzeugloses Befestigen des Motors am Ständer Merkmale: Bohrständer BST 352V – Schnellwechselplatte mit Universalkupplung – Maschinenaufnahme für Antriebsmotoren unterschiedlicher Hersteller – optional: Halsspannung Ø 60 mm mit Aufnahmeadapter (max. Bohr-Ø bis 202 mm) – Führung/Lager auf vier Spezialkugeln gelagerter Schlitten – Integrierte Libellen am Schlitten, Skalierung und Bohrlochmittenanzeiger am Bohrständer für exaktes Arbeiten – einfaches Ablesen der Bohrtiefe – Bohrsäule stufenlos schwenkbar bis 45° – Kompakter Kombifuß – Befestigung mit Dübel oder Vakuum (Vakuumset erforderlich) – Vorschubhebel recht/links umsteckbar - einfacher werkzeugloser Wechsel der Bedienseite – Aluminiumsäule – verwindungssteif, leicht, mit Abstützung rückwärtig – Justierschrauben – robust, exaktes Ausrichten – Radachse abnehmbar - einfacher Transport

Neben der Bearbeitung von starren und flexiblen Materialien auf starren Trägersubstraten bieten wir die Bearbeitung von flexiblen Materialien im Sheet-zu-Sheet oder im Rolle-zu-Rolle-Verfahren an. Weitere Informationen unter https://lasermikrobearbeitung.de/ Ihre Vorteile mit der Rolle-zu-Rolle-Technologie: • Lasermikrostrukturierung und -Ablation • Laserbearbeitung „On-the-Fly“ oder „Step and Repeat“ • Rollenbreiten bis zu 300 mm möglich Einsatzgebiet: • Flexible Elektronik in der Medizinindustrie • Flexible Photovoltaik Zellen • Display-Industrie • Halbleiter-Industrie Neben der Bearbeitung von starren und flexiblen Materialien auf starren Trägersubstraten bieten wir die Bearbeitung von flexiblen Materialien im Sheet-zu-Sheet oder im Rolle-zu-Rolle-Verfahren an. Anwendungsbeispiele: • Dünnschichtabträge auf Rollenmaterial (z.B. Metall auf PET) • Freilegen von Leiterbahnen • Anrauhen von Lötpads

Schneiden von Photovoltaikzellen in Halb-, Drittel- und Shinglezellen. Freiformschneiden möglich. Schneiden mittels TLS-Technologie. Weitere Informationen unter https://lasermikrobearbeitung.de/ - Formate von 1/2 bis 1/6-Zellen und Größen bis zu M12 - Freiformschneiden - Leistungssteigerung von bis zu 2W durch TLS-Technologie Die patentierte Lasertechnologie von 3D-Micromac zum direkten Schneiden von Solarzellen ist die führende Methode zum Schneiden von Zellen. Wenn herkömmliche Schneidverfahren an ihre Grenzen stoßen, kommt die TLS-Technologie mit ultrakurzen Pulsen ins Spiel. Exzellente Schnittqualitäten mit hoher Reproduzierbarkeit und Genauigkeit können garantiert werden. Egal ob Halbzelle, Drittelzelle, Viertelzelle oder die zukunftsweisende Sechszelle. Durch die große Flexibilität der TLS-Technologie ist es möglich, unsere Kunden umfassend zu unterstützen. Anpassung in der Anzahl der Zellschnitte, Variation in der Größe der Substrate bis zu 220mm oder eine hohe Flexibilität in der Formfreiheit. Von siliziumbasierten Zelltypen wie PERC, TOPCon, HJT bis IBC ist die Bearbeitung Ihrer mono- und polychristalinischen Photovoltaikzellen möglich.

TLS-Dicing ist eine einzigartige Laser-Technologie zum Trennen von Wafern in einzelne Chips bei der Back-End-Verarbeitung von Halbleitern. Weitere Informationen unter https://lasermikrobearbeitung.de/ Ihre Vorteile mit unserem TLS-Dicing™: TLS-Dicing™ ist eine ideale Lösung zum Dicing von Wafern und bietet viele Vorteile gegenüber derzeit etablierten Konkurrenztechnologien wie mechanischem Sägen und Laserablation. • Perfekte Seitenwände ohne Abplatzungen und Mikrorisse mit überragender Biegefestigkeit • Partikelfreie Bearbeitung / keine Wärmeeinflusszone • Kraftfreie und berührungslose Bearbeitung • Unabhängig der Gitterebene • Trennen von Rückseitenmetall ohne Abplatzungen im selben Bearbeitungsschritt • Das Schneiden von Materialstapeln ist möglich • Hohe Trenngeschwindigkeit: 300 mm/s • Sehr glatte Kanten (reduziert den Dioden-Leckstrom) • Sauberer und nahezu trockener Prozess • Nahezu keine Ausbrüche und Mikrorisse für weniger Bruch • Kein Werkzeugverschleiß • Zero-Kerf Dicing ermöglicht schmalere Straßenbreiten, wodurch mehr Chips pro Wafer möglich sind Zusätzliche technische Informationen: • Positioniergenauigkeit: 5µm • Wiederholgenauigkeit: 1µm Bearbeitbare Materialien sind u.a.: • Siliziumkarbind (SiC) • Silizium (Si) • Germanium (Ge) • Galliumarsenid (GaAs) Einsatzgebiete • Halbleiterindustrie Das Trennen von Wafern ist ein wesentlicher Prozess in der Halbleiterherstellung, der für die effiziente Chipherstelllung entscheidend ist. Da die Substratgrößen für SiC-Wafer immer größer werden und neue Anwendungen wie 3D/Stacked-Die-Packages die Dicke der Siliziumwafer beeinflussen, werden gängige Wafer-Dicing-Methoden wie das mechanische Säge in ihrer praktischen Anwendung zunehmend eingeschränkt. TLS (Thermal Laser Separation) ist eine neuartige Wafer-Dicing Methode, die erhebliche Vorteile bei den Produktionskosten, dem Durchsatz und Ausbeute für SiC- und Silizium-Wafer bietet. TLS-Dicing™ ist eine einzigartige Technologie zur Trennung von Wafern in einzelne Chips in der Back-End-Halbleiterverarbeitung. Beim TLS-Dicing™ wird thermisch induzierter mechanischer Stress verwendet, um spröde Halbleitermaterialien wie Siliziumkarbind (SiC), Silizium (Si), Germanium (Ge) und Galliumarsenid (GaAs). Ein Laser erwärmt die festen, spröden Materiale und erzeugt eine Zone mit Druckspannung und umgebender tangentialer Zugspannung. Eine zweite gekühlte Zone, die einen minimalen Abstand zur ersten Zone aufweist, erzeugt eine erneute Spannung. Die resultierende Zugspannung hat dabei in der Überlagerungsregion beider Spannungsmustern ein lokales Maximum, das scharf fokussiert ist und eine eindeutige Ausrichtung hat (senkrecht senkrecht zur Straße) und ist somit in der Lage, die Rissspitze zu öffnen und durch das Material zu führen. TLS-Dicing™ selbst ist immer ein One-Pass-Verfahren, das die gesamte Dicke des Wafers auf einmal trennt. Ausgangspunkt ist ein flacher Scribe, der entweder lokal oder kontinuierlich an der Oberfläche des Wafers erfolgt. Der lokale Scribe wird bevorzugt, um die höchste Biegefestigkeit und die geringste Partikelbildung zu gewährleisten. Andererseits bietet der kontinuierliche Scribe die besten Ergebnisse für Produkte mit Metall in der Straße und verbessert die Geradlinigkeit des Spaltprozesses. Da es sich beim TLS-Dicing™ um einen Spaltprozess handelt, sind die Kanten glatt und frei von Restspannungen oder Mikrorissen und Spaltzonen. Jegliche Reduzierung der Biegefestigkeit infolge des Spaltprozesses ist gegenüber ablativen Lasertechnologien deutlich geringer. Darüber hinaus wird das Rückseitenmetall getrennt, ohne dass es zu Delamination oder Hitzeeinwirkung kommt.